具有渐变微通道高度的微流控芯片、其制备模板及方法-国家洁净能源知识产权运营中心

专利号	CN201611114889.1	申请日	2016/12/7
公开（公告）号	CN108160124B	授权公告日	2019/9/6
主分类号	B01L3/00	分类号	B01L3/00
申请号	CN201611114889.1	专利类型	发明
发明（设计）人	李春林; 刘中民; 解华; 魏迎旭
申请（专利权）人	中国科学院大连化学物理研究所
摘要：本申请公开了一种具有渐变高度微通道结构的微流控芯片及其制备方法，该微流控芯片用于大规模微纳型均一液滴及微球材料的制备，所述微流控芯片内的微通道内中至少存在一个位置，所述位置的微通道的高度高于沿所述微通道内部流体流动方向下游的某一处的微通道的高度。通过利用微电铸的边缘效应，制备得到微通道高度从外围往中心逐渐降低的金属基模版，并复制模版结构到微流控芯片中，得到渐变高度微通道结构的微流控芯片，从而实现微纳米液滴规模制备。该方法可实现高效可控规模制备均一的微纳米液滴及微球。