一种用于离子迁移谱进样器的进样薄片
一种钯膜抗硫抗氯方法
专利号 CN201510750213.0 申请日 2015/11/6
公开(公告)号 CN106669448B 授权公告日 2019/4/23
主分类号 B01D71/02 分类号 B01D71/02; B01D67/00
申请号 CN201510750213.0 专利类型 发明
发明(设计)人 李慧; 徐天莹; 唐春华; 徐恒泳
申请(专利权)人 中国科学院大连化学物理研究所
摘要:本发明通过在钯膜表面涂覆纳米钯/MoS2组合(或MoS2)的“铠甲层”,有效阻截硫氯污染物(如H2S,HCl),进而避免钯膜表面受到污染。通过控制纳米钯和MoS2粒子大小,保证“铠甲层”孔径分布在0.05‑0.2μm左右,不影响钯膜的透氢量。与钯膜表面相比,纳米钯颗粒具有高比表面积和高吸附活性的明显优点,因此,“铠甲层”将能通过优先吸附、分解硫氯污染物的原理避免它们在钯膜表面的解离吸附。钯膜“铠甲层”有望在避免膜表面受到硫氯污染的同时保证钯膜的高透量,这对于解决钯膜抗硫抗氯的难题,并推进其工业应用有重要的研究意义。

 
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