一种用于离子迁移谱进样器的进样薄片
一种自支撑结构的电极及其制备和应用
专利号 CN201510926386.3 申请日 2015/12/13
公开(公告)号 CN106876153B 授权公告日 2018/9/28
主分类号 H01G11/30 分类号 H01G11/30; H01G11/32; H01G11/46; H01G11/86; H01G11/12; H01M4/36; H01M4/583; H01M4/48; H01M4/50; H01M4/52; H01M4/131; H01M4/133; H01M4/1391; H01M4/1393; H01M10/052
申请号 CN201510926386.3 专利类型 发明
发明(设计)人 王美日; 张华民; 张洪章; 黄安然; 刘翠连; 李先锋
申请(专利权)人 中国科学院大连化学物理研究所
摘要:本发明公开了一种自支撑结构的电极及其制备和应用。所述电极包括导电集流体、电极活性材料;电极活性材料以纳米棒阵列的形式原位生长于导电集流体表面,其中,电极活性材料为碳量子点包覆的金属氧化物,其在电极上的担量为0.5‑30mg/cm2,其中优选1‑10mg/cm2。本发明所提供的电极具有阻抗低,电子传输快,电极的比容量大的特点,制备过程简单具有广泛的应用性。

 
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