一种用于离子迁移谱进样器的进样薄片
一种TS-1钛硅分子筛的合成方法
专利号 CN201710291213.8 申请日 2017/4/28
公开(公告)号 CN107162013B 授权公告日 2019/11/8
主分类号 C01B37/00 分类号 C01B37/00
申请号 CN201710291213.8 专利类型 发明
发明(设计)人 谢素娟; 高扬; 陈福存; 徐龙伢; 刘盛林; 张爽; 朱向学; 李秀杰; 刘珍妮
申请(专利权)人 中国科学院大连化学物理研究所
摘要:本发明提供了一种TS‑1钛硅分子筛的合成方法,所述合成方法为:在不额外引入水及不加晶种的情况下,直接将硅源、钛源和模板剂进行物理混合,先在60~80℃低温老化,再经160~180℃晶化,最后通过洗涤、分离、干燥和焙烧得到分子筛产品,其中,硅源采用价廉易得的无机硅(固体硅胶、硅酸或硅溶胶);模板剂既可以采用四丙基氢氧化铵(用量显著低于传统方法),也可以采用四丙基溴化铵和正丁胺的至少一种与氢氧化钠的组合。本发明披露的合成TS‑1钛硅分子筛的方法简单易行,经济环保,具有应用价值。

 
网站访问统计
 

   Copyright ©  中国科学院大连化学物理研究所 国家洁净能源知识产权运营中心 版权所有 All Rights Reserved.

地址:辽宁省大连市沙河口区中山路457号  邮政编码:116023  电话:+86-411-84379598  邮件:NetCenter@dicp.ac.cn