一种用于离子迁移谱进样器的进样薄片
一种氧掺杂二硫化钼材料及其制备方法
专利号 CN201510685707.5 申请日 2015/10/21
公开(公告)号 CN106607062B 授权公告日 2019/1/8
主分类号 B01J27/051 分类号 B01J27/051; B01J37/16; B01J35/10
申请号 CN201510685707.5 专利类型 发明
发明(设计)人 王峰; 张超锋; 徐杰; 张晓辰; 张志鑫; 陈海军; 王业红; 王敏; 刘慧芳
申请(专利权)人 中国科学院大连化学物理研究所
摘要:本发明涉及一种氧掺杂二硫化钼材料及其制备方法,将钼的前驱物分散溶解于硫化铵溶液中,使用氨水调节溶液的酸碱度至10≤pH≤14,在50~100℃下反应0.5~6h,反应完成后将溶液转移进入水热合成釜,充入氮气保护,向该溶液中加入水合肼,密闭合成釜,在140~220℃的温度下水热处理0.5~24h后冷却至室温,过滤,用去离子水洗涤,真空干燥,制得该氧掺杂二硫化钼材料。该材料具有热稳定性好、耐强酸、比表面积大,在催化,电极材料等领域具有潜在应用。

 
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