一种用于离子迁移谱进样器的进样薄片
一种分级多孔银及其制备方法
专利号 CN201410697301.4 申请日 2014/11/27
公开(公告)号 CN105689733B 授权公告日 2018/11/27
主分类号 B22F9/24 分类号 B22F9/24; B82Y40/00
申请号 CN201410697301.4 专利类型 发明
发明(设计)人 孙公权; 袁丽只; 姜鲁华
申请(专利权)人 中国科学院大连化学物理研究所
摘要:本发明涉及一种分级多孔银的制备方法,特指一种以任意结构的银为前体用电化学的方法制备卤化银,之后再在一定的条件下还原制备分级多孔银的方法。与现有技术相比,本发明所述分级多孔银由银纳米粒子聚集形成的一级孔和银纳米聚集体相互连接形成的二级孔构成;且一级孔与二级孔孔分布均匀,孔径区别显著,有助于其作为氧化原催化剂及其它特殊领域应用时的传质反应。本发明所述分级多孔银的制备方法具有绿色环保、简便、易于实施、生产成本低;以及制备过程中分级多孔银的孔径及孔隙率分布可控等优点。将其用作氧化原电催化剂时,单位质量银催化剂的氧还原催化活性大幅提高。

 
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