一种用于离子迁移谱进样器的进样薄片
一种多级结构复合材料及其制备和应用
专利号 CN201410805129.X 申请日 2014/12/19
公开(公告)号 CN105789569B 授权公告日 2019/2/26
主分类号 H01M4/36 分类号 H01M4/36; H01G11/30
申请号 CN201410805129.X 专利类型 发明
发明(设计)人 孙公权; 夏章讯; 王素力
申请(专利权)人 中国科学院大连化学物理研究所
摘要:一种多级结构复合材料,包括由石墨烯和Nafion聚离子构成大孔骨架,于大孔骨架上担载有金属纳米粒子成核位点,于所述成核位点上原位生长有导电聚合物纳米簇阵列。所述金属纳米粒子为钯、铂、金、银、铱中的一种或两种以上合金的纳米粒子。所述导电聚合物为聚吡咯、聚苯胺、聚噻吩、聚乙炔中的一种。所述复合材料的孔隙率为0.5‑0.9,孔径为1‑10微米。所述导电聚合物纳米簇阵列的直径为10‑500纳米,长度为20‑2000微米。所述多级结构复合材料的制备方法,包括担载有金属纳米粒子成核位点的大孔骨架材料的制备和多级结构复合材料的制备。本发明所述的复合材料具有导电性高、制备方法简单、适于大批量的制备等优点。

 
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