一种用于离子迁移谱进样器的进样薄片
一种担载型分级多孔银及其制备方法
专利号 CN201510940785.5 申请日 2015/12/16
公开(公告)号 CN106881107B 授权公告日 2019/10/25
主分类号 B01J23/89 分类号 B01J23/89; H01M4/90
申请号 CN201510940785.5 专利类型 发明
发明(设计)人 孙公权; 袁丽只; 姜鲁华
申请(专利权)人 中国科学院大连化学物理研究所
摘要:本发明涉及一种担载型分级多孔银,所述担载型分级多孔银的载体为泡沫金属,所述分级多孔银由银纳米粒子聚集形成的一级孔银聚集体,一级孔银聚集体再次聚集相互连接而形成;所述泡沫金属载体的金属为铜、镍、铁中的一种或两种以上的合金。所述担载型分级多孔银的制备方法,泡沫金属为前体,用电化学的方法制备卤化银,再在一定的条件下还原制备分级多孔银的方法。与现有技术相比,本发明所述担载型分级多孔银由银纳米粒子聚集形成的一级孔、银纳米聚集体相互连接形成的二级孔及泡沫金属载体本身具有的大孔构成, 本发明所述分级多孔银的制备方法具有绿色环保、简便、易于实施、生产成本低;以及制备过程中分级多孔银的孔径及孔隙率分布可控等优点。

 
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