一种用于离子迁移谱进样器的进样薄片
一种低温质子导体固体氧化物电解池
专利号 CN201510882066.2 申请日 2015/12/4
公开(公告)号 CN106835191B 授权公告日 2019/3/12
主分类号 C25B11/04 分类号 C25B11/04; C25B1/04
申请号 CN201510882066.2 专利类型 发明
发明(设计)人 涂宝峰; 程谟杰
申请(专利权)人 中国科学院大连化学物理研究所
摘要:本发明涉及一种低温质子导体固体氧化物电解池,该电解池包括电解质、氢电极和氧电极,其中,所述氢电极组成为:NiO和BaCe0.6Zr0.25Y0.15O3‑δ;所述氧电极组成为:BaCe0.6Zr0.25Y0.15O3‑δ和BaCoaFebZrcYdO3‑δ,其中,0≤a≤0.5,0≤b≤0.5,0≤c≤0.4,0≤d≤0.4。所述质子导体电解质材料为:BaCe0.6Zr0.25Y0.15O3‑δ。该质子导体固体氧化物电解池在低温(300~600℃)条件下具有高的水电解活性。

 
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