一种与三维培养相结合的transwell微流控芯片及其制备方法-国家洁净能源知识产权运营中心

专利号	CN201510873494.9	申请日	2015/12/2
公开（公告）号	CN106811415B	授权公告日	2019/4/30
主分类号	C12M3/06	分类号	C12M3/06
申请号	CN201510873494.9	专利类型	发明
发明（设计）人	秦建华; 朱玉娟; 尹方超; 李中玉
申请（专利权）人	中国科学院大连化学物理研究所
摘要：一种与三维培养相结合的transwell微流控芯片及其制备方法，该微流控芯片主要由顶层芯片、多孔滤膜、中间层芯片，底层芯片组成，多孔滤膜通过不可逆封接顶层芯片的下表面，然后通过PDMS粘合中间芯片的上表面。底层培养室的坑状结构用于体外细胞、组织和器官的三维培养。该微流控芯片同时具有transwell小室、微流控芯片以及体外三维培养的功能，并可以实时观察底层芯片的细胞生长状况，可应用于药物代谢、器官发育等生物学研究。