一种用于离子迁移谱进样器的进样薄片
一种适用于托卡马克型磁约束核聚变装置中第一镜
专利号 CN201410668927.2 申请日 2014/11/20
公开(公告)号 CN105652350B 授权公告日 2018/10/23
主分类号 G02B1/14 分类号 G02B1/14; G21B1/23
申请号 CN201410668927.2 专利类型 发明
发明(设计)人 公发全; 刘万发; 李刚; 李义民; 贾春燕; 谭彦楠; 刘通; 徐志; 董闯
申请(专利权)人 中国科学院大连化学物理研究所
摘要:本发明涉及一种适用于托卡马克型磁约束核聚变装置中第一镜结构及实现方法,具体地说是实现具有耐高能等离子体、中子及高能射线辐照,具有较高光谱反射率及其稳定性的反射镜。这种第一镜具有保护层,功能薄膜层,焊接钎料过渡层,微通道冷却器。功能薄膜层为采用真空镀膜工艺镀制到保护层上,功能薄膜层与微通道冷却器之间采用真空钎焊工艺,通过钎料过渡层焊接连接起来,形成一体的多层复合结构。其保护层耐高能等离子体、中子及高能射线辐照,功能薄膜层具有特征光谱反射功能,微通道冷却器将保护层沉积的热量排出,这种第一镜适用于在高能等离子体、中子及高能射线辐照条件下使用,适用于作为核聚变反应装置的第一镜使用。

 
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