一种用于离子迁移谱进样器的进样薄片
一种原子力显微镜和表面光电压谱联用方法
专利号 CN201410617526.4 申请日 2014/11/5
公开(公告)号 CN105629079B 授权公告日 2019/2/1
主分类号 G01Q60/24 分类号 G01Q60/24
申请号 CN201410617526.4 专利类型 发明
发明(设计)人 李灿; 朱剑; 范峰滔; 安虹宇; 陈若天
申请(专利权)人 中国科学院大连化学物理研究所
摘要:本发明涉及一种原子力显微镜和表面光电压谱联用方法,用于测量半导体表面微区的表面光电压谱,解决表面光电压谱不具备空间分辨能力的特点,原子力显微镜和光谱仪是通过斩波器调制可变光波长信号、表面电势变化结合锁相放大器进行联用的,可以给出半导体微区的表面光电压谱和相位角分辨谱图。

 
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