一种光电化学分解水的GaN : ZnO光阳极的制备方法-国家洁净能源知识产权运营中心

专利号	CN201510392338.0	申请日	2015/7/7
公开（公告）号	CN106319557B	授权公告日	2018/3/27
主分类号	C25B11/00	分类号	C25B11/00; C25B1/04; H01L31/00
申请号	CN201510392338.0	专利类型	发明
发明（设计）人	李灿; 王志亮; 韩晶峰; 宗旭
申请（专利权）人	中国科学院大连化学物理研究所
摘要：本发明涉及以ZnO和Ga2O3粉末为前驱体、导电材料为基底，在水汽辅助条件下，氮化合成高效GaN : ZnO电极。在水汽辅助下，采用高温原位氮化，制得多孔的GaN : ZnO光阳极。并且作为光活性层的GaN : ZnO晶粒之间以及晶粒与衬底都具有良好的接触。在AM1.5G模拟太阳光条件下，当施加的偏压为1.23V(相对于标准氢电极)，在0.5mol/L K3PO4水溶液中可以获得1.16mA/cm2的光电流响应。不同于已公开报道的GaN : ZnO光阳极，该电极的制备方法简便可控，并且可以获得高的光电分解水性能。该光电极还可用于光电化学分解水制氢、生物质转化以及光电化学有机合成等用途。