一种用于离子迁移谱进样器的进样薄片
一种金属掺杂的二硫化钨热电材料及制备方法
专利号 CN201510962265.4 申请日 2015/12/18
公开(公告)号 CN106898689B 授权公告日 2019/10/11
主分类号 H01L35/16 分类号 H01L35/16; H01L35/34
申请号 CN201510962265.4 专利类型 发明
发明(设计)人 包信和; 姜鹏; 黄志伟
申请(专利权)人 中国科学院大连化学物理研究所
摘要:本发明涉及一系列金属掺杂的二硫化钨热电材料及制备方法,金属掺杂的二硫化钨热电材料的化学通式为MxWS2,其中M为Ti、V、Nb、Zr、Ta、Hf、Yb、Re中的一种或者两种以上,x为M金属占WS2的摩尔分数,且0<x≤1;材料的制备方法包括:固体粉末混合和材料的放电等离子烧结,首先按一定摩尔比称取金属和硫化钨,机械研磨混合,然后将混合后的粉末在合适的压力和温度下进行放电等离子烧结,烧结后得到MxWS2热电材料。这种热电材料具有较高的电导和Seebeck系数,具有较好的热电性能。同时该MxWS2材料还可应用在电化学、光电催化、电子器件等领域。

 
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