一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法-国家洁净能源知识产权运营中心

专利号	CN201110200460.5	申请日	2011/7/18
公开（公告）号	CN102328906B	授权公告日	2014/2/12
主分类号	C01B3/56	分类号	C01B3/56
申请号	CN201110200460.5	专利类型	发明
发明（设计）人	徐恒泳; 唐春华; 孙剑; 董恩宁; 侯守福
申请（专利权）人	中国科学院大连化学物理研究所
摘要：一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法。采用两组串联的金属钯复合膜氢气纯化器，对三氯氢硅还原循环氢气进行提纯处理，其中第一组金属钯复合膜氢气纯化器相对较大，提纯处理的超纯氢气(H2纯度＞99.9999％)返回还原炉，用于三氯氢硅还原的原料气，而第二组氢气纯化器相对较小，提纯处理的高纯氢气(H2纯度-99.999％)去冷氢化工段作为原料气。该方法提纯处理循环氢气的回收率可以达到99％。当循环氢气中氯化氢含量较高时，需要采取必要的脱氯措施使得HCl含量降低到0.5ppm以下。利用该方法提纯的氢气生产多晶硅，可以明显提高多晶硅产品的纯度和质量，具有明显的节能减排效应。