一种用分子筛修饰钯基复合膜的方法-国家洁净能源知识产权运营中心

专利号	CN201410166251.7	申请日	2014/4/23
公开（公告）号	CN105013297B	授权公告日	2017/12/26
主分类号	B01D53/22	分类号	B01D53/22; C01B3/50
申请号	CN201410166251.7	专利类型	发明
发明（设计）人	徐天莹; 俞佳枫; 徐恒泳; 张继新
申请（专利权）人	中国科学院大连化学物理研究所
摘要：一种用分子筛修饰钯基复合膜的方法。通过在多孔陶瓷基底的表面率先用化学镀的方法制备一薄层钯膜，将不能形成连续钯膜的较大的缺陷暴露出来，然后在缺陷处原位生长分子筛填补缺陷，从而制备出高选择性的超薄钯基复合膜。和原有的利用氧化物颗粒修饰基底的方法不同，该分子筛限域原位生长法修饰缺陷的特点是有效将缺陷填充材料限制在缺陷内，而防止残留在钯膜表面影响补镀钯膜的均匀致密性；另外，该方法中分子筛材料本身的特点是在晶种周围原位生长，可有效填充各种大小和形状的不规则缺陷，且不会发生塌陷滑动，从而提高了钯膜的稳定性。本发明方法为钯基氢分离膜提供了一种新型缺陷修补技术和缺陷填充材料，提高钯膜的氢气选择透过性和稳定性，延长钯膜的使用范围和使用寿命，将获得广泛应用。