一种阴离子交换膜及其制备和应用-国家洁净能源知识产权运营中心

专利号	CN201010524782.0	申请日	2010/10/29
公开（公告）号	CN102451620B	授权公告日	2014/1/8
主分类号	B01D71/06	分类号	B01D71/06; B01D67/00; B01J41/12; C08J7/12; H01M8/02; H01M2/16; B01J41/13; H01M8/0289; H01M8/102; H01M8/1069
申请号	CN201010524782.0	专利类型	发明
发明（设计）人	张华民; 张凤祥; 曲超
申请（专利权）人	中国科学院大连化学物理研究所
摘要：本发明涉及一种阴离子交换膜及其制备方法和应用，提出一种侧链上含有多氮杂环正离子作为导离子基团的阴离子交换膜及其制备方法。该类阴离子膜的制备采用先成盐后制膜的路线，成盐过程为均相反应，反应容易进行；浇铸成膜过程中容易形成微相分离结构，有利于提高膜的电导性能，所得阴离子膜具有较高的电导率和稳定性。