一种用于离子迁移谱进样器的进样薄片
金属阳离子掺杂二硫化钼材料的制备方法及材料和应用
专利号 CN201510690327.0 申请日 2015/10/21
公开(公告)号 CN106608652B 授权公告日 2018/1/9
主分类号 C01G39/06 分类号 C01G39/06; B01J27/051
申请号 CN201510690327.0 专利类型 发明
发明(设计)人 王峰; 张超锋; 徐杰; 陈海军; 侯婷婷; 张晓辰; 张哲; 王业红; 张志鑫
申请(专利权)人 中国科学院大连化学物理研究所
摘要:本发明涉及一种金属阳离子掺杂二硫化钼材料的制备方法及材料和应用,将钼前驱物分散溶解于硫化铵溶液中,用氨水调节溶液酸碱度至10≤pH≤14,在50~100℃下反应,反应后向该溶液中加入配位试剂保护的金属配合物溶液,搅拌,将水溶液搅干,真空干燥。将得到的固体粉末研磨后置于惰性气氛(氮气或者氩气)气流中,380~500℃的温度下处理0.5~8h后冷却至室温制得该阳离子掺杂二硫化钼材料。所述材料通过掺杂的手段将金属阳离子均匀分散于二硫化钼每层之间,该材料在晶体结构上保持二硫化钼的二维层状结构,材料板层间距根据掺入金属离子种类和含量的不同,在6.15~10.0埃米之间波动。该材料具有热稳定性好、耐强酸、比表面积大,在催化,电极材料等领域具有潜在应用。

 
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