一种用于离子迁移谱进样器的进样薄片
一种金属掺杂的中空介孔氧化硅纳米球及其制备方法
专利号 CN201410789134.6 申请日 2014/12/17
公开(公告)号 CN105776225B 授权公告日 2017/12/15
主分类号 C01B33/12 分类号 C01B33/12; B82Y30/00; B82Y40/00
申请号 CN201410789134.6 专利类型 发明
发明(设计)人 徐杰; 陈佳志; 路芳; 张俊杰; 于维强; 高进; 苗虹
申请(专利权)人 中国科学院大连化学物理研究所
摘要:本发明公开了一种金属掺杂的中空介孔氧化硅纳米球及其制备方法,其特征在于掺杂金属元素为周期表中IIIA、IVA、VA、过度金属及稀土金属的元素中的一种或二种以上,其与硅原子的摩尔数之比为0.01‑0.2;该纳米球具有均一的二维六方孔道结构,粒径60‑200nm,空腔直径大小为40‑180nm,球壁厚为10‑30nm,介孔孔径2.0‑4.0nm,比表面积为600‑1600m2·g‑1,孔容为2.0‑4.0cm3·g‑1。本发明采用溶胶凝胶法直接合成金属掺杂的中空介孔硅纳米球材料,不需要采用硬质模版,避免刻蚀等后处理步骤,具有工艺简单、条件温和、原料低廉、反应效率高、可操作性强、易于工业生产等优点。制备的中空介孔纳米球介孔结构高度有序、孔容大,有利于客体分子的内外传输及储存,可用于催化、吸附、分离、药物控制释放等过程。

 
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