一种用于离子迁移谱进样器的进样薄片
一种硼、氮共掺杂石墨烯及其制备和应用
专利号 CN201310691216.2 申请日 2013/12/15
公开(公告)号 CN104710445B 授权公告日 2017/1/25
主分类号 C07F5/02 分类号 C07F5/02; B01J31/14; B01J27/24; C01B31/04
申请号 CN201310691216.2 专利类型 发明
发明(设计)人 孙公权; 金具涛; 姜鲁华
申请(专利权)人 中国科学院大连化学物理研究所
摘要:一种硼、氮共掺杂石墨烯,所述石墨烯为片层褶皱状结构,片层的层数在1-10层之间;硼和氮处于石墨烯的分子晶格结构中;硼、氮处于不同的石墨烯六元环中,一个石墨烯六元环中存在一个硼或一个氮;或一个硼和一个氮处于同一石墨烯六元环中。所述石墨烯采用惰性条件下两步加热保温法制得。与现有技术相比,该方法简单易行,制备过程无需催化剂,反应过程易于控制,适合于大规模生产。此外,采用本方法制备硼、氮共掺杂石墨烯具有掺杂元素在石墨晶格中的结构可以调控的优点。当获得分离状态的硼、氮掺杂的石墨烯时,其可保持硼和氮的掺杂本性,是一种良好的电催化材料;当获得结合状态硼和氮的石墨烯时,其可作为介电材料。

 
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