一种用于离子迁移谱进样器的进样薄片
一种有序化电极的制备方法
专利号 CN201110418390.0 申请日 2011/12/14
公开(公告)号 CN103165908B 授权公告日 2016/3/23
主分类号 H01M4/88 分类号 H01M4/88
申请号 CN201110418390.0 专利类型 发明
发明(设计)人 俞红梅; 张长昆; 李永坤; 邵志刚; 衣宝廉
申请(专利权)人 中国科学院大连化学物理研究所
摘要:本发明介绍一种制备贵金属纳米颗粒担载于二氧化钛纳米阵列形成有序化电极的方法,在钛片上生长成二氧化钛纳米管阵列,并以此为基底,采用脉冲电沉积方法制备Ni前驱体,然后经过置换将铂钯金等贵金属担载其上的方法。制备的电极,贵金属催化剂不仅能均匀分布在二氧化钛纳米阵列的表面,而且在纳米管内也能分散均匀。该电极前躯体Ni很好的被贵金属催化剂覆盖,并能够提供更多的表面催化活性位点和催化反应比表面积。该方法操作简单,成本低廉,将其应用于燃料电池和光催化等领域,可望提高催化电极的催化活性和稳定性。

 
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