一种用于离子迁移谱进样器的进样薄片
电氧化合成一维纳米氧化物结构的制备方法
专利号 CN201410784897.1 申请日 2014/12/16
公开(公告)号 CN105780087B 授权公告日 2018/3/20
主分类号 C25D11/34 分类号 C25D11/34; B82Y40/00; B82Y30/00
申请号 CN201410784897.1 专利类型 发明
发明(设计)人 俞红梅; 付丽; 张长昆; 贾佳; 迟军; 邵志刚; 衣宝廉
申请(专利权)人 中国科学院大连化学物理研究所
摘要:本发明涉及一种用于光电催化领域的一维纳米氧化物的制备方法。电化学体系为:电解质溶液为Fe2+前驱体溶液,不同配比的去离子水和多元醇作为溶剂,工作电极为导电基板,对电极为Pt金属板或石墨板,参比电极为Ag/AgCl或者饱和甘汞电极。在导电玻璃表面电沉积制备FeOOH薄膜,该薄膜样品浸渍形貌保护剂后再通过煅烧得到α‑Fe2O3光阳极。采用此种方法制备光阳极,可实现α‑Fe2O3光阳极薄膜与导电基板的紧密结合,提高其在光电解过程中的稳定性。在光电解过程中使用此种方法制备的光阳极,可以实现对α‑Fe2O3光阳极薄膜厚度的精确控制,通过控制电流时间从而在不同电量下沉积不同厚度的薄膜,为探讨光电解池的载流子的传递机理、光学特性和膜厚度之间关系提供重要的依据。

 
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