一种用于离子迁移谱进样器的进样薄片
一种纳米硫化亚铜修饰的整体柱材料及其制备方法
专利号 CN201310646757.3 申请日 2013/12/4
公开(公告)号 CN104689796B 授权公告日 2017/2/8
主分类号 B01J20/26 分类号 B01J20/26; B01D15/38
申请号 CN201310646757.3 专利类型 发明
发明(设计)人 许国旺; 单圆鸿; 窦阿波; 石先哲; 路鑫
申请(专利权)人 中国科学院大连化学物理研究所
摘要:本发明公开了一种纳米硫化亚铜修饰的整体柱及其制备方法。首先合成杂化整体柱骨架,在其表面物理吸附一定厚度的氧化亚铜纳米立方体,经硫化钠溶液处理得到更加稳定的硫化亚铜,即得到纳米硫化亚铜修饰的整体柱。该方法得到的整体柱具有常规整体柱的易制作、高渗透性特点,同时纳米硫化亚铜的引入提供了特异性吸附位点,对羧基,氨基以及氮杂环结构有较强的吸附作用,而且显著提高了材料的比表面积。将该材料制备成毛细管固相萃取柱,实现了碱性条件下牛奶中硫酸卡那霉素的高容量富集。

 
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