一种用于离子迁移谱进样器的进样薄片
一种宏量制备石墨烯的方法
专利号 CN201010185785.6 申请日 2010/5/28
公开(公告)号 CN102259847B 授权公告日 2014/11/5
主分类号 C01B31/04 分类号 C01B31/04
申请号 CN201010185785.6 专利类型 发明
发明(设计)人 包信和; 邓德会; 潘秀莲; 谭大力
申请(专利权)人 中国科学院大连化学物理研究所
摘要:本发明公开了一种宏量制备石墨烯的方法。具体地说,该方法通过热劈裂商品SiC多晶粉末使Si迅速升华,得到的碳物种自组装形成石墨烯。所得石墨烯缺陷少、抗氧化性能力高。通过改变前驱体SiC粉末的粒径、晶体类型、升温速率、体系真空度以及反应气氛等可以调控所得石墨烯的尺寸、厚度、规整度、形貌以及官能团的种类。本方法具有简单,易于操作和控制的特点。

 
网站访问统计
 

   Copyright ©  中国科学院大连化学物理研究所 国家洁净能源知识产权运营中心 版权所有 All Rights Reserved.

地址:辽宁省大连市沙河口区中山路457号  邮政编码:116023  电话:+86-411-84379598  邮件:NetCenter@dicp.ac.cn