一种用于离子迁移谱进样器的进样薄片
一种在碳纳米管内填充金属及其氧化物纳米粒子的方法
专利号 CN201110412352.4 申请日 2011/12/12
公开(公告)号 CN103159169B 授权公告日 2014/5/28
主分类号 B82B3/00 分类号 B82B3/00; B82Y40/00; B82Y30/00; B01J21/18; B01J23/22; B01J23/44; B01J23/46
申请号 CN201110412352.4 专利类型 发明
发明(设计)人 潘秀莲; 张洪波; 包信和
申请(专利权)人 中国科学院大连化学物理研究所
摘要:本发明公开了一种在碳纳米管管腔内分散金属和金属氧化物等化合物的有效方法,该方法尤其适用于内径为1-20nm左右的碳纳米管,包括单壁、双壁以及多壁碳纳米管。具体地说,该方法涉及利用沸点较低的金属卤化物,对碳纳米管进行亲水化处理,然后采用液相浸渍的方法得到金属纳米粒子填充的碳纳米管样品。本方法具有简单、易于操作和控制的特点。

 
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