一种SiC基的新型纳米碳复合材料的制备方法-国家洁净能源知识产权运营中心

专利号	CN201210181890.1	申请日	2012/6/4
公开（公告）号	CN103447097B	授权公告日	2016/5/4
主分类号	B01J32/00	分类号	B01J32/00; B01J27/224; B01J27/24
申请号	CN201210181890.1	专利类型	发明
发明（设计）人	包信和; 李星运; 周永华; 潘秀莲
申请（专利权）人	中国科学院大连化学物理研究所
摘要：本发明公开了一种高比表面积SiC基的纳米碳复合材料制备方法。通过选择合成温度、气氛、不同催化剂，可实现在SiC表面控制生长出一层或多层不同厚度的碳层，且该碳层的形貌和结构特点随合成条件不同而不同。本发明实现了基于SiC的C-SiC复合材料的合成，该复合材料同时具有碳材料与SiC的优势，可应用于催化和吸附中。