一种可控制备单层和少层硫化钼的方法-国家洁净能源知识产权运营中心

专利号	CN201310676237.7	申请日	2013/12/11
公开（公告）号	CN104709892B	授权公告日	2018/1/9
主分类号	C01B32/168	分类号	C01B32/168; C01G39/06
申请号	CN201310676237.7	专利类型	发明
发明（设计）人	包信和; 邓浇; 邓德会
申请（专利权）人	中国科学院大连化学物理研究所
摘要：本发明公开了一种可控制备单层和少层硫化钼的方法。具体地说，该方法是一种基于溶剂热的方法，利用钼基化合物的水溶液与含硫化合物在低温下直接反应生成目标产物。所制备的硫化钼具有规整的二维层状结构，且层数为单层或少层。本方法具有简单，易于操作和控制的特点。