一种用于离子迁移谱进样器的进样薄片
一种二吡咯亚甲基N, O‑二氟化硼衍生物的合成方法
专利号 CN201410695753.9 申请日 2014/11/26
公开(公告)号 CN105693752B 授权公告日 2017/10/13
主分类号 C07F5/02 分类号 C07F5/02
申请号 CN201410695753.9 专利类型 发明
发明(设计)人 余正坤; 杨小格
申请(专利权)人 中国科学院大连化学物理研究所
摘要:本发明公开了一种二吡咯亚甲基N, O‑二氟化硼衍生物的合成方法。以二硫缩烯酮、吡咯化合物、三氟化硼乙醚为反应原料,通过一步反应制备得到二吡咯亚甲基N, O‑二氟化硼衍生物。与已报道的二吡咯亚甲基二氟化硼类似物的合成方法相比较,本发明具有原料易得、操作简便、合成反应条件温和等优点。

 
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