基于In2O3纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法-国家洁净能源知识产权运营中心

专利号	CN201310407887.1	申请日	2013/9/9
公开（公告）号	CN104422716B	授权公告日	2017/5/3
主分类号	G01N27/00	分类号	G01N27/00; C01G15/00; B82Y30/00; B82Y40/00
申请号	CN201310407887.1	专利类型	发明
发明（设计）人	冯亮; 杨卫; 关亚风
申请（专利权）人	中国科学院大连化学物理研究所
摘要：本专利涉及一种基于In2O3纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法。是以两步化学转化法合成多孔半导体In2O3纳米材料，经过初步分离纯化后得到纯度较高的In2O3纳米线，并以此作为气敏性材料，组装成半导体气体传感器。该气体传感器的工作原理是根据半导体In2O3纳米线材料暴露在空气和待测气体中电信号(电阻、电压、电流等)的变化来进行检测和分析的。气体传感器能够对乙醇、丙酮、甲醛等常见的有机挥发性气体(VOCs)及氨气、硫化氢等有毒有害环境污染性气体有较好的响应，而且其响应程度(即灵敏度)与待测气体的浓度(或含量)直接相关，可用于气体的在线检测。