一种用于离子迁移谱进样器的进样薄片
一种选择性萃取顺式邻二羟基化合物的方法
专利号 CN201410428660.X 申请日 2014/8/27
公开(公告)号 CN105445399B 授权公告日 2017/9/22
主分类号 G01N30/06 分类号 G01N30/06; G01N1/28
申请号 CN201410428660.X 专利类型 发明
发明(设计)人 吴倩; 关亚风; 吴大朋
申请(专利权)人 中国科学院大连化学物理研究所
摘要:本发明涉及一种选择性萃取顺式邻二羟基化合物的新方法,所述方法为将二氧化钛‑二氧化锆杂合金属氧化物材料与含有顺式邻位二羟基化合物的样品溶液相接触,再将材料与样品溶液分离。此方法解决了传统硼酸材料萃取顺式邻二羟基化合物时苛刻的碱性条件和无法避免的疏水非特异性吸附,且比单一的二氧化钛或二氧化锆萃取顺式邻二羟基化合物具有更高的萃取效率。可用于各种条件下对顺式邻二羟基化合物的高选择性捕集。

 
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