一种表面放电电离源-无离子门离子迁移管-国家洁净能源知识产权运营中心

专利号	CN201210395973.0	申请日	2012/10/17
公开（公告）号	CN103779169B	授权公告日	2016/1/6
主分类号	H01J49/16	分类号	H01J49/16
申请号	CN201210395973.0	专利类型	发明
发明（设计）人	王卫国; 李海洋
申请（专利权）人	中国科学院大连化学物理研究所
摘要：本发明为一种表面放电电离源的无离子门离子迁移管，其特征在于利用表面放电电离产生薄离子片来替代传统离子门，利用脉冲电场将离子引入漂移区，仪器装配简单，易于批量化和微型化。由沿轴线分布的脉冲推斥电极、表面放电电离源、漂移区、栅网、离子接收极等构成；待测物被离子源电离产生的产物离子分别被脉冲推斥电极引入漂移区，在高压电源提供的电场中飞行，最终被离子接收极接收检测。