一种用于离子迁移谱进样器的进样薄片
一种耐高温电容层析成像传感器
专利号 CN201510967356.7 申请日 2015/12/18
公开(公告)号 CN106896143B 授权公告日 2019/10/8
主分类号 G01N27/22 分类号 G01N27/22
申请号 CN201510967356.7 专利类型 发明
发明(设计)人 叶茂; 郭强; 孟霜鹤; 张涛; 刘中民
申请(专利权)人 中国科学院大连化学物理研究所
摘要:本发明公开了一种应用于室温至600℃高温环境下的耐高温电容层析成像传感器。所述传感器包括阵列分布电极、轴端屏蔽电极、绝缘隔离层、轴端屏蔽电极连接层、固定层、屏蔽罩和信号传输线,其中阵列分布电极通过腐蚀镂空的工艺制作而成,并由测量端和固定端组成,分别用来测量电容和包裹固定电极测量端与传输电缆,且测量端通过耐高温绝缘胶整体定位套粘在耐高温绝缘管道的外壁;信号传输线包括高温段和常温段,均为由缆芯、绝缘层和屏蔽丝网组成的双屏蔽线;轴端屏蔽电极连接层与轴端屏蔽电极直接接触,并与屏蔽罩连接。本发明的传感器可以在室温至600℃高温环境下正常使用,有效拓宽了电容层析成像技术在高温热态领域的应用范围。

 
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