一种弧形凹陷小孔的PDMS聚合物芯片的制备方法及应用-国家洁净能源知识产权运营中心

专利号	CN201210439646.0	申请日	2012/11/6
公开（公告）号	CN102978110B	授权公告日	2014/8/6
主分类号	C12M3/00	分类号	C12M3/00; C12N5/077
申请号	CN201210439646.0	专利类型	发明
发明（设计）人	秦建华; 石杨; 姜雷; 张旭
申请（专利权）人	中国科学院大连化学物理研究所
摘要：一种弧形凹陷小孔的PDMS聚合物芯片的制备方法及应用，该方法的步骤为利用软蚀刻技术制作PDMS通道芯片模板；制作PDMS薄膜，将上述的PDMS通道芯片模板，与PDMS薄膜封接后，与玻璃片封接，底部用金属管连接气体，对整个装置进行表面修饰；将未固化后的PDMS聚合物溶液倒入上述的装置，通入气体，加热固化PDMS聚合物溶液，剥离PDMS芯片即可；表面修饰后的PDMS芯片可以用于细胞的三维培养，该方法无需昂贵的刻蚀设备，具有操作简单、快速，实验成本低廉，不涉及有机试剂，环境友好，可与其它技术集成化的优点。