一种基于纳米电纺丝的细胞一维生长方法-国家洁净能源知识产权运营中心

专利号	CN201310654919.8	申请日	2013/12/4
公开（公告）号	CN104694467B	授权公告日	2017/12/1
主分类号	C12N5/0775	分类号	C12N5/0775; D01D5/00
申请号	CN201310654919.8	专利类型	发明
发明（设计）人	秦建华; 张旭; 马静云
申请（专利权）人	中国科学院大连化学物理研究所
摘要：一种基于纳米电纺丝的细胞一维生长方法，利用软光刻方法制备不带有通道结构的固化PDMS(聚二甲基硅氧烷)块，并将其浸泡在PF127溶液中6小时以上，去离子水冲洗后干燥，此时PDMS表面吸附的PF127分子会抑制细胞贴壁。在PF127(Pluronic F‑127)修饰后的PDMS表面进行电纺平行丝操作，在其表面修饰上平行的明胶/PLGA电纺丝，之后该PDMS块置于超净台内紫外灭菌，可用于细胞的1维生长培养。该方法无需昂贵的仪器设备，可实现一次性大面积修饰，具有操作简单、快速，实验成本低廉，环境友好，可与其它等优点。