一种等离子体辅助磁控溅射沉积方法-国家洁净能源知识产权运营中心

专利号	CN201210358823.2	申请日	2012/9/24
公开（公告）号	CN103668092B	授权公告日	2016/3/2
主分类号	C23C14/35	分类号	C23C14/35
申请号	CN201210358823.2	专利类型	发明
发明（设计）人	李刚; 孙龙; 金玉奇
申请（专利权）人	中国科学院大连化学物理研究所
摘要：本发明涉及一种等离子体辅助磁控溅射沉积镀膜技术。利用磁控溅射制备金属化合物薄膜时，为了克服靶中毒、阳极消失等现象，一般采用中频或脉冲直流反应磁控溅射方法。本专利提出一种新型的等离子体辅助沉积方法，通过在真空室内增加一等离子体放电区，工件架在随公转盘公转的同时高速自转，工件转过此等离子体放电区时，反应未完全的超薄层薄膜进一步与气体离子进行化和反应，从而得到更高化学计量比的化合物薄膜，大大提高了薄膜的沉积速率。与传统的等离子体源辅助沉积技术相比，本发明专利提出的新型等离子体产生技术成本更低，易于放大，可用于大规模工业化生产领域，具有重要的应用前景。