一种用于离子迁移谱进样器的进样薄片
一种制备金属复合膜的方法
专利号 CN200610112703.9 申请日 2006/8/30
公开(公告)号 CN101135052B 授权公告日 2010/8/18
主分类号 C23C28/00 分类号 C23C28/00; C23C18/00
申请号 CN200610112703.9 专利类型 发明
发明(设计)人 熊国兴; 张小亮; 杨维慎; 刘杰; 盛世善
申请(专利权)人 中国科学院大连化学物理研究所
摘要:一种制备金属复合膜的真空化学镀方法,是在多孔底膜上经溶胶凝胶技术预修饰引入含有对化学镀具有自催化还原活性的金属晶种的过渡层,然后在经过修饰的多孔复合底膜膜管内外侧控制不同的真空度进行真空化学镀,通过本发明的方法,能提高金属复合膜的透氢性能,同时增强了金属复合膜的稳定性能。

 
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