一种高活性[001]晶面暴露比例Mo‑V‑Te‑Nb‑O催化剂及其制备和应用-国家洁净能源知识产权运营中心

专利号	CN201410441029.3	申请日	2014/8/29
公开（公告）号	CN105363431B	授权公告日	2018/3/16
主分类号	B01J23/28	分类号	B01J23/28; C07C57/05; C07C51/215
申请号	CN201410441029.3	专利类型	发明
发明（设计）人	杨维慎; 楚文玲; 蔡睿; 王红心
申请（专利权）人	中国科学院大连化学物理研究所
摘要：本发明的目的在于提供一种高活性[001]晶面暴露比例的Mo‑V‑Te‑Nb‑O催化剂及其制备方法和应用；其特征在于：该催化剂活性组分的摩尔配比为Mo : V : Te : Nb＝1 : 0.3 : 0.23 : 0.12；该催化剂的[001]晶面暴露比例通过添加表面形貌控制剂调节，所用表面形貌控制剂为多元醇或有机胺，形貌控制剂/Mo的摩尔比为0～2.0。本发明采用形貌控制剂制备的Mo‑V‑Te‑Nb‑O催化剂具有非常高的活性[001]晶面暴露比例，在丙烷选择氧化制丙烯酸反应中，表现出很高的催化活性、催化稳定性和丙烯酸选择性。